購入 RW1E025RPT2CRとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-WEMT |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 75 mOhm @ 2.5A, 10V |
電力消費(最大): | 700mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
他の名前: | RW1E025RPT2CRTR |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
製造元の部品番号: | RW1E025RPT2CR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 480pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5.2nC @ 5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |