購入 SCT10N120とBYCHPS
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SCT10N120
- 部品型番:
- SCT10N120
- メーカー:
- ST
- 説明:
- MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 16512 Pieces
簡潔な
BYCHIPSは、 SCT10N120、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SCT10N120をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +25V, -10V |
| 技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | HiP247™ |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 690 mOhm @ 6A, 20V |
| 電力消費（最大）: | 150W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
| 他の名前: | 497-16597-5 |
| 運転温度: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | SCT10N120 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 290pF @ 400V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 22nC @ 20V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 1200V (1.2kV) 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1200V (1.2kV) |
| 説明: | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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