SCT10N120
SCT10N120
部品型番:
SCT10N120
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16512 Pieces
データシート:
1.SCT10N120.pdf2.SCT10N120.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 250µA
Vgs(最大):+25V, -10V
技術:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ:HiP247™
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):690 mOhm @ 6A, 20V
電力消費(最大):150W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
他の名前:497-16597-5
運転温度:-55°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:SCT10N120
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:290pF @ 400V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:22nC @ 20V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1200V (1.2kV) 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):20V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

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