購入 SCT2H12NZGC11とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 900µA |
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Vgs(最大): | +22V, -6V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3PFM |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
電力消費(最大): | 35W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-3PFM, SC-93-3 |
運転温度: | 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
製造元の部品番号: | SCT2H12NZGC11 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 184pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 14nC @ 18V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 1700V (1.7kV) 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1700V (1.7kV) |
説明: | MOSFET N-CH 1700V 3.7A |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |