購入 SI2335DS-T1-E3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 450mV @ 250µA (Min) |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 51 mOhm @ 4A, 4.5V |
電力消費(最大): | 750mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | SI2335DS-T1-E3-ND SI2335DS-T1-E3TR SI2335DST1E3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI2335DS-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1225pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 12V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 12V |
説明: | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |