購入 SI2351DS-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1W (Ta), 2.1W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | SI2351DS-T1-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI2351DS-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 250pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5.1nC @ 5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |