購入 SI3459BDV-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
電力消費(最大): | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前: | SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI3459BDV-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |