購入 SI4800BDY-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.8V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大): | 1.3W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SI4800BDY-T1-GE3TR SI4800BDYT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI4800BDY-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 13nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |