購入 SI5509DC-T1-E3とBYCHPS
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SI5509DC-T1-E3
- 部品型番:
- SI5509DC-T1-E3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14495 Pieces
- データシート:
- SI5509DC-T1-E3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SI5509DC-T1-E3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SI5509DC-T1-E3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
| 電力 - 最大: | 4.5W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前: | SI5509DC-T1-E3TR SI5509DCT1E3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | SI5509DC-T1-E3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 455pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 6.6nC @ 5V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| 拡張された説明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 説明: | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6.1A, 4.8A |
| Email: | [email protected] |
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