購入 SI6467BDQ-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 850mV @ 450µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-TSSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
電力消費(最大): | 1.05W (Ta) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
他の名前: | SI6467BDQ-T1-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI6467BDQ-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 70nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 12V 6.8A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 12V |
説明: | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |