購入 SI6968BEDQ-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.6V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-TSSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
電力 - 最大: | 1W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
他の名前: | SI6968BEDQ-T1-GE3-ND SI6968BEDQ-T1-GE3TR SI6968BEDQT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI6968BEDQ-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.2A |
Email: | [email protected] |