購入 SI7980DP-T1-E3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 22 mOhm @ 5A, 10V |
電力 - 最大: | 19.8W, 21.9W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SI7980DP-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1010pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 27nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長: | Standard |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8A |
Email: | [email protected] |