購入 SI7997DP-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
電力 - 最大: | 46W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
他の名前: | SI7997DP-T1-GE3TR SI7997DPT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI7997DP-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 6200pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 160nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 60A |
Email: | [email protected] |