SIA519EDJ-T1-GE3
SIA519EDJ-T1-GE3
部品型番:
SIA519EDJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18449 Pieces
データシート:
SIA519EDJ-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SC-70-6 Dual
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
電力 - 最大:7.8W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SC-70-6 Dual
他の名前:SIA519EDJ-T1-GE3TR
SIA519EDJT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SIA519EDJ-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:350pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:12nC @ 10V
FETタイプ:N and P-Channel
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.5A
Email:[email protected]

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