購入 SIB914DK-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 800mV @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
電力 - 最大: | 3.1W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
他の名前: | SIB914DK-T1-GE3TR SIB914DKT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SIB914DK-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 125pF @ 4V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.6nC @ 5V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 8V |
説明: | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.5A |
Email: | [email protected] |