購入 SIE836DF-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 10-PolarPAK® (SH) |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
電力消費(最大): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 10-PolarPAK® (SH) |
他の名前: | SIE836DF-T1-GE3TR SIE836DFT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SIE836DF-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1200pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 41nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |