購入 SIHD12N50E-GE3とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | D-PAK (TO-252AA) |
シリーズ: | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 380 mOhm @ 6A, 10V |
電力消費(最大): | 114W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | SIHD12N50E-GE3CT SIHD12N50E-GE3CT-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 19 Weeks |
製造元の部品番号: | SIHD12N50E-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 886pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 50nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 550V |
説明: | MOSFET N-CHAN 500V DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 10.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |