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SIHG33N60EF-GE3
SIHG33N60EF-GE3
部品型番:
SIHG33N60EF-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15187 Pieces
データシート:
SIHG33N60EF-GE3.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 250µA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247AC
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:98 mOhm @ 16.5A, 10V
電力消費（最大）:278W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:SIHG33N60EF-GE3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:3454pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:155nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:33A (Tc)
Email:[email protected]

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