購入 SIRA02DP-T1-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 250µA |
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Vgs(最大): | +20V, -16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大): | 5W (Ta), 71.4W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 |
他の名前: | SIRA02DP-T1-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 22 Weeks |
製造元の部品番号: | SIRA02DP-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 6150pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 117nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |