SIZ342DT-T1-GE3
SIZ342DT-T1-GE3
部品型番:
SIZ342DT-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18759 Pieces
データシート:
SIZ342DT-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-Power33 (3x3)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11.5 mOhm @ 14A, 10V
電力 - 最大:3.6W, 4.3W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
他の名前:SIZ342DT-T1-GE3TR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:SIZ342DT-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:650pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:20nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:-
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):15.7A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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