SMUN5311DW1T3G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス SMUN5311DW1T3G

SMUN5311DW1T3G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-363
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	10k
電力 - 最大:	187mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	11 Weeks
製造元の部品番号:	SMUN5311DW1T3G
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SOT-363
説明:	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	35 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]