購入 SPB08P06PGATMA1とBYCHPS
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SPB08P06PGATMA1
- 部品型番:
- SPB08P06PGATMA1
- 説明:
- MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12528 Pieces
- データシート:
- SPB08P06PGATMA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SPB08P06PGATMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SPB08P06PGATMA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-2 |
| シリーズ: | SIPMOS® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 42W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | SP000102179 SPB08P06P G SPB08P06P G-ND SPB08P06PGINTR SPB08P06PGINTR-ND SPB08P06PGXT |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SPB08P06PGATMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 420pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 13nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 60V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 説明: | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 8.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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