購入 SPB18P06P GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-2 |
シリーズ: | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
電力消費(最大): | 81.1W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | SP000102181 SPB18P06P G-ND SPB18P06PG SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGINTR SPB18P06PGXT |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | SPB18P06P G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 860pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 28nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-2 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |