SPB18P06P G
SPB18P06P G
部品型番:
SPB18P06P G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13353 Pieces
データシート:
SPB18P06P G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO263-2
シリーズ:SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):130 mOhm @ 13.2A, 10V
電力消費(最大):81.1W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:SP000102181
SPB18P06P G-ND
SPB18P06PG
SPB18P06PGATMA1
SPB18P06PGINTR
SPB18P06PGXT
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:SPB18P06P G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:860pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:28nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-2
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):18.7A (Ta)
Email:[email protected]

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