SPB80N06S2-08 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル SPB80N06S2-08

SPB80N06S2-08

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO263-3-2
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 mOhm @ 58A, 10V
電力消費（最大）:	215W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	SP000016356 SPB80N06S208T
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	SPB80N06S2-08
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3800pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	96nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]