購入 SPP11N80C3XKSA1とBYCHPS
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SPP11N80C3XKSA1
- 部品型番:
- SPP11N80C3XKSA1
- 説明:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14784 Pieces
- データシート:
- SPP11N80C3XKSA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SPP11N80C3XKSA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SPP11N80C3XKSA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.9V @ 680µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO220-3-1 |
| シリーズ: | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 156W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
| 他の名前: | SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3IN SPP11N80C3IN-ND SPP11N80C3X SPP11N80C3XK SPP11N80C3XTIN SPP11N80C3XTIN-ND |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SPP11N80C3XKSA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1600pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 85nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 800V |
| 説明: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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