SQD23N06-31L_GE3
SQD23N06-31L_GE3
部品型番:
SQD23N06-31L_GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12541 Pieces
データシート:
SQD23N06-31L_GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252, (D-Pak)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):31 mOhm @ 15A, 10V
電力消費(最大):37W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:SQD23N06-31L-GE3
SQD23N06-31L-GE3-ND
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:SQD23N06-31L_GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:845pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:24nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 23A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 23A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):23A (Tc)
Email:[email protected]

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