SQJ500AEP-T1_GE3 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	27 mOhm @ 6A, 10V
電力 - 最大:	48W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	PowerPAK® SO-8 Dual
他の名前:	SQJ500AEP-T1_GE3TR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	18 Weeks
製造元の部品番号:	SQJ500AEP-T1_GE3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1850pF @ 20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	38.1nC @ 10V
FETタイプ:	N and P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	30A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
QS6J3TR	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6	オンラインお問い合わせ
SI5904DC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8	オンラインお問い合わせ
DMP4047SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
SI5915BDC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8	オンラインお問い合わせ
IRF7910TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
RJM0603JSC-00#12	Renesas Electronics America	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP	オンラインお問い合わせ
SSM6N7002KFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A	オンラインお問い合わせ
DMG1026UV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563	オンラインお問い合わせ
NTLGD3502NT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN	オンラインお問い合わせ
FDS3601	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC	オンラインお問い合わせ
APTM100H35FT3G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3	オンラインお問い合わせ
APTM100H80FT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1	オンラインお問い合わせ