SSM3J306T(TE85L,F)
部品型番:
SSM3J306T(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18760 Pieces
データシート:
SSM3J306T(TE85L,F).pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 SSM3J306T(TE85L,F)、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SSM3J306T(TE85L,F)をメールでお送りします。
購入 SSM3J306T(TE85L,F)とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):-
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TSM
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):117 mOhm @ 1A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:SSM3J306T (TE85L,F)
SSM3J306T(TE85LF)TR
SSM3J306TTE85LF
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
製造元の部品番号:SSM3J306T(TE85L,F)
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:280pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:2.5nC @ 15V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 2.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2.4A (Ta)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考