購入 SSN1N45BBUとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.7V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
電力消費(最大): | 900mW (Ta) |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | SSN1N45BBU |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 240pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 8.5nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 450V 500mA (Tc) 900mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 450V |
説明: | MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 500mA (Tc) |
Email: | [email protected] |