購入 STB11NM60-1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I2PAK |
シリーズ: | MDmesh™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
電力消費(最大): | 160W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | 497-5379-5 STB11NM60-1-ND |
運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | STB11NM60-1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 30nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
説明: | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |