STD110N8F6
STD110N8F6
部品型番:
STD110N8F6
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13586 Pieces
データシート:
STD110N8F6.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK
シリーズ:STripFET™ F6
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):6.5 mOhm @ 40A, 10V
電力消費(最大):167W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:497-16032-6
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:26 Weeks
製造元の部品番号:STD110N8F6
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:9130pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:150nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 80V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:80V
説明:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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