STGW80H65FB - STMicroelectronics - トランジスタ-igbt-シングル STGW80H65FB

STGW80H65FB

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	650V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2V @ 15V, 80A
試験条件:	400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	84ns/280ns
エネルギーの切り替え:	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-247-3
シリーズ:	-
電力 - 最大:	469W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-247-3
他の名前:	497-15134-5
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	STGW80H65FB
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	Trench Field Stop
ゲートチャージ:	414nC
拡張された説明:	IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-3
説明:	IGBT 650V 120A 469W TO-247
電流 - コレクタパルス（ICM）:	240A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	120A
Email:	[email protected]