購入 STP70N10F4とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220-3 |
シリーズ: | DeepGATE™, STripFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 19.5 mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大): | 150W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | 497-8812-5 STP70N10F4-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
製造元の部品番号: | STP70N10F4 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 5800pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 85nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 65A (Tc) |
Email: | [email protected] |