TK17E65W,S1X
TK17E65W,S1X
部品型番:
TK17E65W,S1X
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12582 Pieces
データシート:
TK17E65W,S1X.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 900µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):200 mOhm @ 8.7A, 10V
電力消費(最大):165W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:TK17E65W,S1X
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1800pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:45nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 650V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:650V
説明:MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):17.3A (Ta)
Email:[email protected]

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