購入 TPH1R712MD,L1QとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 1.2V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOP Advance (5x5) |
シリーズ: | U-MOSVI |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V |
電力消費(最大): | 78W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
他の名前: | TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MDL1QTR |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | TPH1R712MD,L1Q |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 10900pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 182nC @ 5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 20V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 20V |
説明: | MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |