購入 TPH3206LDGBとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.6V @ 500µA |
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Vgs(最大): | ±18V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PQFN (8x8) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 180 mOhm @ 11A, 8V |
電力消費(最大): | 81W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 3-PowerDFN |
他の名前: | TPH3206LDG TPH3206LDG-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
製造元の部品番号: | TPH3206LDGB |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 760pF @ 480V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
説明: | GAN FET 650V 16A PQFN88 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |