TRS12E65C,S1Q
TRS12E65C,S1Q
部品型番:
TRS12E65C,S1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19170 Pieces
データシート:
TRS12E65C,S1Q.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.7V @ 12A
電圧 - 逆(VR)(最大):650V
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220-2L
速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):0ns
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-2
他の名前:TRS12E65C,S1Q(S
TRS12E65CS1Q
動作温度 - ジャンクション:175°C (Max)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:TRS12E65C,S1Q
拡張された説明:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220-2L
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
説明:DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:90µA @ 170V
電流 - 平均整流(イオ​​):12A (DC)
Vrと、F @キャパシタンス:65pF @ 650V, 1MHz
Email:[email protected]

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