UMD5NTR - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス UMD5NTR

UMD5NTR

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	300mV @ 500µA, 10mA
トランジスタ型式:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	UMT6
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	47k, 10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	47k, 4.7k
電力 - 最大:	150mW, 120mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	UMD5NTR
周波数 - トランジション:	250MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
説明:	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]

絵	部品型番	メーカー	説明	ビュー
	MUN5230DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	オンラインお問い合わせ