購入 VP2110K1-GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-236AB (SOT23) |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 12 Ohm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大): | 360mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | VP2110K1-G-ND VP2110K1-GTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 19 Weeks |
製造元の部品番号: | VP2110K1-G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 60pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | - |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 100V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 120mA (Tj) |
Email: | [email protected] |