購入 IRFHM830DTR2PBFとBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.35V @ 50µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PQFN (3x3) |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大): | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-VQFN Exposed Pad |
他の名前: | IRFHM830DTR2PBFDKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRFHM830DTR2PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1797pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 27nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |