IRFHM8334TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFHM8334TRPBF

IRFHM8334TRPBF

簡潔な

BYCHIPSは、 IRFHM8334TRPBF、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IRFHM8334TRPBFをメールでお送りします。

購入 IRFHM8334TRPBFとBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.35V @ 25µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	9 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:	2.7W (Ta), 28W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	IRFHM8334TRPBF-ND IRFHM8334TRPBFTR SP001570906
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IRFHM8334TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1180pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	15nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 13A (Ta) 2.7W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	13A (Ta)
Email:	[email protected]