購入 IRFHM8363TRPBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.35V @ 25µA |
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サプライヤデバイスパッケージ: | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
電力 - 最大: | 2.7W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
他の名前: | SP001565948 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRFHM8363TRPBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1165pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 15nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Logic Level Gate |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11A |
Email: | [email protected] |