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IXTP4N60P
IXTP4N60P
部品型番:
IXTP4N60P
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17755 Pieces
データシート:
IXTP4N60P.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:5.5V @ 100µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:PolarHV™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:2 Ohm @ 2A, 10V
電力消費（最大）:89W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXTP4N60P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:635pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:13nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧（VDSS）にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:4A (Tc)
Email:[email protected]

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