English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
関連情報 | お問い合わせ | オンラインお問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-rf > A2I20H060NR1
A2I20H060NR1
A2I20H060NR1
部品型番:
A2I20H060NR1
メーカー:
NXP Semiconductors / Freescale
説明:
IC TRANS RF LDMOS
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15169 Pieces
データシート:
A2I20H060NR1.pdf
オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 A2I20H060NR1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください A2I20H060NR1をメールでお送りします。
購入 A2I20H060NR1とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

電圧 - テスト:28V
電圧 - 定格:65V
トランジスタ型式:LDMOS (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-270WB-15
シリーズ:-
電力出力:12W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-270-15 Variant, Flat Leads
他の名前:935318716528
雑音指数:-
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:A2I20H060NR1
利得:28.9dB
周波数:1.84GHz
拡張された説明:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 24mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WB-15
説明:IC TRANS RF LDMOS
定格電流:-
電流 - テスト:24mA
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考

同様のモデルのA2I20H060NR1

絵 部品型番 メーカー 説明 ビュー
MRF9180R6 Image MRF9180R6 NXP USA Inc. FET RF 65V 880MHZ NI-1230 オンラインお問い合わせ
A2I20H060GNR1 Image A2I20H060GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS オンラインお問い合わせ
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 オンラインお問い合わせ
PTFC270051MV2R1KXUMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS オンラインお問い合わせ
A2I08H040GNR1 Image A2I08H040GNR1 NXP USA Inc. IC RF LDMOS AMP オンラインお問い合わせ
MRF9045LSR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 945MHZ NI-360S オンラインお問い合わせ
MRF6V13250HSR5 NXP USA Inc. FET RF 120V 1.3GHZ NI780S オンラインお問い合わせ
NE3515S02-T1D-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 オンラインお問い合わせ
BLF6G27-135,112 Image BLF6G27-135,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT502A オンラインお問い合わせ
PTFA092213ELV4R250XTMA2 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS H-33288-6 オンラインお問い合わせ
MRF9060LSR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 945MHZ NI-360S オンラインお問い合わせ
BLF2425M7L250P,118 Image BLF2425M7L250P,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A オンラインお問い合わせ

最新ニュース