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APT65GP60B2G
APT65GP60B2G
部品型番:
APT65GP60B2G
メーカー:
Microsemi
説明:
IGBT 600V 100A 833W TMAX
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16613 Pieces
データシート:
APT65GP60B2G.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:2.7V @ 15V, 65A
試験条件:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:30ns/91ns
エネルギーの切り替え:605µJ (on), 896µJ (off)
シリーズ:POWER MOS 7®
電力 - 最大:833W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3 Variant
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:APT65GP60B2G
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:PT
ゲートチャージ:210nC
拡張された説明:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
説明:IGBT 600V 100A 833W TMAX
電流 - コレクタパルス（ICM）:250A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:100A
Email:[email protected]

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