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APT65GP60L2DQ2G
APT65GP60L2DQ2G
部品型番:
APT65GP60L2DQ2G
メーカー:
Microsemi
説明:
IGBT 600V 198A 833W TO264
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15779 Pieces
データシート:
APT65GP60L2DQ2G.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:2.7V @ 15V, 65A
試験条件:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:30ns/90ns
エネルギーの切り替え:605µJ (on), 895µJ (off)
シリーズ:POWER MOS 7®
電力 - 最大:833W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
他の名前:APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:APT65GP60L2DQ2G
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:PT
ゲートチャージ:210nC
拡張された説明:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
説明:IGBT 600V 198A 833W TO264
電流 - コレクタパルス（ICM）:250A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:198A
Email:[email protected]

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