購入 BD649-SとBYCHPS
保証付きで購入する
BD649-S
- 部品型番:
- BD649-S
- メーカー:
- Bourns, Inc.
- 説明:
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15306 Pieces
- データシート:
- BD649-S.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 BD649-S、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください BD649-Sをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 100V |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 2.5V @ 50mA, 5A |
| トランジスタ型式: | NPN - Darlington |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220 |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 2W |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
| 他の名前: | BD649S |
| 運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | BD649-S |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 拡張された説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 2W Through Hole TO-220 |
| 説明: | TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 750 @ 3A, 3V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 500µA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 8A |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのBD649-S
最新ニュース
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers