BFU730LXZ - NXP USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-rf BFU730LXZ

BFU730LXZ

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	3V
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	3-DFN1006 (1.0x0.6)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	160mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	3-XFDFN
他の名前:	568-13122-2 934066878225 BFU730LXZ-ND
運転温度:	-
ノイズ指数（F @デシベル標準）:	0.75dB @ 6GHz
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	BFU730LXZ
利得:	15.8dB
周波数 - トランジション:	53GHz
拡張された説明:	RF Transistor NPN 3V 30mA 53GHz 160mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
説明:	TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	205 @ 2mA, 3V
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	30mA
Email:	[email protected]