購入 BSH108,215とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-236AB (SOT23) |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 120 mOhm @ 1A, 10V |
電力消費(最大): | 830mW (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | 1727-4925-2 568-6216-2 568-6216-2-ND 934055571215 BSH108 T/R BSH108 T/R-ND BSH108,215-ND BSH108215 |
運転温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
製造元の部品番号: | BSH108,215 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 190pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 10nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |