BSO080P03NS3EGXUMA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル BSO080P03NS3EGXUMA1

BSO080P03NS3EGXUMA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.1V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-DSO-8
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 mOhm @ 14.8A, 10V
電力消費（最大）:	1.6W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	BSO080P03NS3E G BSO080P03NS3E G-ND BSO080P03NS3E GTR-ND BSO080P03NS3EG SP000472992
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	BSO080P03NS3EGXUMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	6750pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	81nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	12A (Ta)
Email:	[email protected]