BSO080P03SNTMA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル BSO080P03SNTMA1

BSO080P03SNTMA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-DSO-8
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 mOhm @ 14.9A, 10V
電力消費（最大）:	1.79W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	BSO080P03S BSO080P03S-ND BSO080P03SINTR BSO080P03SINTR-ND BSO080P03SNT BSO080P03ST SP000014958
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	BSO080P03SNTMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	5890pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	136nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	12.6A (Ta)
Email:	[email protected]